IR7304SPBF、IR7304STRPBF对比区别
描述 半桥 IGBT MOSFET 灌:60mA 拉:130mAMOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 169 mA输出, 220 ns延迟, NSOIC-8
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 电源管理负载控制器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 200ns, 100ns 200ns, 100ns
输出接口数 2 2
耗散功率 625 mW 625 mW
下降时间(Max) 170 ns 170 ns
上升时间(Max) 300 ns 300 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V
针脚数 - 8
电源电压(Max) - 20 V
电源电压(Min) - 10 V
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99