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IR7304SPBF

IR7304SPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

半桥 IGBT MOSFET 灌:60mA 拉:130mA

Summary of Features:

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Drives IGBT/MOSFET power devices
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Gate drive supplies up to 20 V per channel
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Integrated deadtime protection 100ns
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Shoot-through cross-conduction protection
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Undervoltage lockout for VCC for VBS
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3.3 V, 5 V , 15 V input logic compatible
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Output in phase with input
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Tolerant to negative transient voltage
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Designed for use with bootstrap power supplies
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Matched propagation delays
IR7304SPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 200ns, 100ns

输出接口数 2

耗散功率 625 mW

下降时间Max 170 ns

上升时间Max 300 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IR7304SPBF引脚图与封装图
IR7304SPBF电路图

IR7304SPBF电路图

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型号 制造商 描述 购买
IR7304SPBF Infineon 英飞凌 半桥 IGBT MOSFET 灌:60mA 拉:130mA 搜索库存
替代型号IR7304SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IR7304SPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

半桥 IGBT MOSFET 灌:60mA 拉:130mA

当前型号

型号: IR7304STRPBF

品牌: 英飞凌

封装: Surface

完全替代

MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 169 mA输出, 220 ns延迟, NSOIC-8

IR7304SPBF和IR7304STRPBF的区别