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2STR1215、MMBT3904LT1G、MMBTA42LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2STR1215 MMBT3904LT1G MMBTA42LT1G

描述 STMICROELECTRONICS  2STR1215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 500 mW, 2 A, 280 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBTA42LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 50 MHz

额定电压(DC) - 40.0 V 300 V

额定电流 - 200 mA 500 mA

额定功率 - 0.3 W -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 500 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 40 V 300 V

集电极最大允许电流 1.5A 0.2A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V 100 @10mA, 1V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 280 300 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 300 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.95 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR NLR