BFG35,115、MRF5812GR1、MRF587对比区别

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型号 BFG35,115 MRF5812GR1 MRF587

描述 NXP  BFG35,115  晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFETrans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC T/R射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

封装 TO-261-4 SOIC-8 244A-01

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

极性 NPN - NPN

耗散功率 1 W - 5 W

击穿电压(集电极-发射极) 18 V 15 V 17 V

增益 - 13dB ~ 15.5dB 13 dB

最小电流放大倍数(hFE) 25 @100mA, 10V 50 @50mA, 5V 50 @50mA, 5V

额定功率(Max) 1 W 1.25 W -

频率 4000 MHz - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 70 - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-261-4 SOIC-8 244A-01

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -