MRF5812GR1
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MRF5812GR1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF5812GR1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MRF5812GR1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF5812GR1 | Microsemi 美高森美 | Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号MRF5812GR1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF5812GR1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 8-SOIC | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： BFG35,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 1000mW | 功能相似 | NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE | MRF5812GR1和BFG35,115的区别 |
| 型号： BFQ18A,115 品牌： 恩智浦 封装： TO-243AA NPN 1000mW | 功能相似 | BFQ18A 系列 18 V 1 W 4 GHz 表面贴装 NPN 宽带 晶体管 - SOT-89 | MRF5812GR1和BFQ18A,115的区别 |
| 型号： BFG135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN | 功能相似 | NXP BFG135 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE | MRF5812GR1和BFG135的区别 |