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NTD4815NHT4G、NTD4863NT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD4815NHT4G NTD4863NT4G

描述 35A,30V功率MOSFETN 通道功率 MOSFET,25V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.95 W

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 8.5A 8.60 A, 11.3 A

上升时间 17.6 ns -

输入电容(Ciss) 845pF @12V(Vds) 990pF @12V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)

额定功率(Max) - 1.27 W

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99