
极性 N-Channel
耗散功率 1.95 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 8.60 A, 11.3 A
输入电容Ciss 990pF @12VVds
额定功率Max 1.27 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.27W Ta, 36.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NTD4863NT4G | ON Semiconductor 安森美 | N 通道功率 MOSFET,25V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: NTD4863NT4G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-252-3 N-Channel 25V 8.6A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET,25V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 当前型号 | |
型号: NTD4969NT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252-3 N-Channel 30V 12.7A | 类似代替 | 41A,30V,N沟道MOSFET | NTD4863NT4G和NTD4969NT4G的区别 | |
型号: NTD4815NHT4G 品牌: 安森美 封装: DPAK N-CH 30V 8.5A | 类似代替 | 35A,30V功率MOSFET | NTD4863NT4G和NTD4815NHT4G的区别 |