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CD4030BE、CD4030BM、HEF4030BP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD4030BE CD4030BM HEF4030BP

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD4030BE.  芯片, 四路异或门, 2输入, DIP-14TEXAS INSTRUMENTS  CD4030BM  异或门, 4门, 2输入, 6.8 mA, 3V至18V, SOIC-14NXP  HEF4030BP  异或门, HEF4000系列, 4门, 2输入, 2.4 mA, 4.5V至15.5V, DIP-14

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)

分类 逻辑芯片逻辑芯片逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP

电源电压(DC) 3.00V ~ 18.0V 3.00V ~ 18.0V 4.50V (min)

输出电流 6.8 mA 6.8 mA 2.4 mA

针脚数 14 14 14

逻辑门个数 4 4 4

输入数 2 2 2

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 18 V 18 V 15.5 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 4.5 V

输出接口数 1 1 -

电路数 4 4 -

位数 4 4 -

传送延迟时间 280 ns 280 ns -

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V -

静态电流 20.0 nA 20.0 nA -

输出电流驱动 -1.00 mA -1.00 mA -

电源电压 3V ~ 18V 3V ~ 18V -

通道数 - 4 -

长度 19.3 mm 8.65 mm 19.5 mm

宽度 6.35 mm 3.91 mm 6.48 mm

高度 4.57 mm 1.58 mm 3.2 mm

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

军工级 Yes Yes -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -