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RHU002N06T106、RJU002N06T106、2N7002W-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RHU002N06T106 RJU002N06T106 2N7002W-TP

描述 N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-32N7002W 系列 60 V 115 mOhm N-沟道 增强型 晶体管 - SOT-323

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Micro Commercial Components (美微科)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2.4 Ω 2.20 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 200 mA 200 mA 0.115A

上升时间 8 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 15pF @10V(Vds) 18pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

下降时间 6 ns 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta)

通道数 - - 1

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-323-3

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.8 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -