RJU002N06T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RJU002N06T106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 2.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 18pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 7 ns
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RJU002N06T106引脚图与封装图 
RJU002N06T106引脚图
RJU002N06T106封装图
RJU002N06T106封装焊盘图
在线购买RJU002N06T106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RJU002N06T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3 | 搜索库存 |
替代型号RJU002N06T106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RJU002N06T106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 60V 200mA 2.2ohms | 当前型号 | N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3 | 当前型号 |
| 型号： RHU002N06T106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 60V 200mA 2.8ohms | 功能相似 | N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3 | RJU002N06T106和RHU002N06T106的区别 |
| 型号： QN7002-T1B-AT 品牌： 日本电气 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A ID, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SC-59, MINI MOLD PACKAGE-3 | RJU002N06T106和QN7002-T1B-AT的区别 |