BFR30、BFR30LT1G、BFR30,215对比区别
描述 BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器JFET放大器（ N沟道） JFET Amplifiers(N-Channel)N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 晶体管JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 1020 SOT-23-3 SOT-23-3
耗散功率 - 300 mW 250 mW
漏源极电压(Vds) - 25 V 25 V
输入电容(Ciss) - 5pF @10V(Vds) 4pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 225 mW 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW
额定电压(DC) - 25.0 V -
额定电流 - 1.00 mA -
极性 - N-Channel -
输入电容 - 5.00 pF -
栅源击穿电压 - 25.0 V -
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.4 mm
高度 - - 1 mm
封装 1020 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99