BFR30LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 5.00 pF
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
输入电容Ciss 5pF @10VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BFR30LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BFR30LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFR30LT1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET放大器（ N沟道） JFET AmplifiersN-Channel | 搜索库存 |
替代型号BFR30LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFR30LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 1mA 300mW | 当前型号 | JFET放大器（ N沟道） JFET AmplifiersN-Channel | 当前型号 |
| 型号： BFR30LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 1mA | 完全替代 | JFET放大器（ N沟道） JFET AmplifiersN-Channel | BFR30LT1G和BFR30LT1的区别 |
| 型号： BFR30 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23/SC-59 | 功能相似 | BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器 | BFR30LT1G和BFR30的区别 |
| 型号： FR302 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | N-channel FET TO-236 3-Pin | BFR30LT1G和FR302的区别 |