IRLR3110ZPBF、IRLR3110ZTRPBF、IPD16CN10N G对比区别

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型号 IRLR3110ZPBF IRLR3110ZTRPBF IPD16CN10N G

描述 INFINEON  IRLR3110ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IPD16CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 53A, 100V, 12.2mohm, 10V, 3V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 140 W 140 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.014 Ω 16 mΩ 0.0122 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 100 W

阈值电压 2.5 V 1 V 3 V

输入电容 3980pF @25V 3980 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 63A 63A -

上升时间 110 ns 110 ns -

反向恢复时间 34 ns - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

输入电容(Ciss) 3980pF @25V(Vds) 3980pF @25V(Vds) 3220pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 140 W -

下降时间 48 ns 48 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 100W (Tc)

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 7.49 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17