IPD16CN10N G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD16CN10N G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0122 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 3220pF @50VVds
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPD16CN10N G引脚图与封装图
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在线购买IPD16CN10N G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD16CN10N G | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD16CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 53A, 100V, 12.2mohm, 10V, 3V | 搜索库存 |
替代型号IPD16CN10N G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD16CN10N G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPak N-Channel | 当前型号 | INFINEON IPD16CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 53A, 100V, 12.2mohm, 10V, 3V | 当前型号 |
| 型号： IRLR3110ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 63A | 类似代替 | INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V | IPD16CN10N G和IRLR3110ZPBF的区别 |