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IRG4BC20W-S、IRG4BC20W-SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC20W-S IRG4BC20W-SPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 D-PAK-3

额定功率 60 W 60 W

耗散功率 - 60 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 60 W 60 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 60000 mW

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263-3 D-PAK-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free