IRG4BC20W-S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4BC20W-S中文资料参数规格
技术参数
额定功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 60 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4BC20W-S引脚图与封装图
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在线购买IRG4BC20W-S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BC20W-S | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRG4BC20W-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BC20W-S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRG4BC20W-SPBF 品牌： 英飞凌 封装： D-PAK-3 60000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube | IRG4BC20W-S和IRG4BC20W-SPBF的区别 |