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MMBT4401LT1G、MMBT4401LT3G、2N4401RLRAG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4401LT1G MMBT4401LT3G 2N4401RLRAG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT4401LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFENPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  2N4401RLRAG  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

额定功率 300 mW 300 mW -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 20 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 250 20 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

长度 2.9 mm 3.04 mm 5.2 mm

宽度 1.3 mm 2.64 mm 4.19 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99