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2N7370、JAN2N7370、JANTX2N7370对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7370 JAN2N7370 JANTX2N7370

描述 NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 12A 12A 12A

最小电流放大倍数(hFE) 10 1000 @6A, 3V 1000 @6A, 3V

额定功率(Max) - 100 W 100 W

耗散功率 100 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 100000 mW

封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead