极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 100 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-254-3
封装 TO-254-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JAN2N7370 | Microsemi 美高森美 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N7370 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-254 NPN | 当前型号 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N7370 品牌: 美高森美 封装: TO-254 NPN 100000mW | 完全替代 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N7370和JANTXV2N7370的区别 | |
型号: 2N7370 品牌: 美高森美 封装: | 类似代替 | NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N7370和2N7370的区别 |