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DS1245AB-120IND+、DS1245AB-120+、DS1245AB-120IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245AB-120IND+ DS1245AB-120+ DS1245AB-120IND

描述 IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-120+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 - 120 GHz -

存取时间 120 ns 120 ns -

内存容量 - 125000 B -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.25 V 5.25 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

长度 - 44.2 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 - 10.92 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free