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DS1245AB-120IND+

DS1245AB-120IND+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 120ns 32-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP


立创商城:
1Mbit 4.75V~5.25V


DS1245AB-120IND+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 120 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-32

外形尺寸

宽度 18.8 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DS1245AB-120IND+引脚图与封装图
DS1245AB-120IND+引脚图

DS1245AB-120IND+引脚图

DS1245AB-120IND+封装图

DS1245AB-120IND+封装图

DS1245AB-120IND+封装焊盘图

DS1245AB-120IND+封装焊盘图

在线购买DS1245AB-120IND+
型号 制造商 描述 购买
DS1245AB-120IND+ Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP 搜索库存
替代型号DS1245AB-120IND+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1245AB-120IND+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: 32-DIP

当前型号

IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP

当前型号

型号: DS1245AB-120+

品牌: 美信

封装: DIP 125000B 5V 120ns 32Pin

完全替代

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-120+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120+的区别

型号: DS1245AB-120

品牌: 美信

封装: DIP 125000B 5V 120ns 32Pin

完全替代

IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP

DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120的区别

型号: DS1245AB-120IND

品牌: 美信

封装: 32-DIP

类似代替

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DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120IND的区别