
存取时间 120 ns
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
封装 DIP-32
宽度 18.8 mm
封装 DIP-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅

DS1245AB-120IND+引脚图

DS1245AB-120IND+封装图

DS1245AB-120IND+封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1245AB-120IND+ | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1245AB-120IND+ 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: 32-DIP | 当前型号 | IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIP | 当前型号 | |
型号: DS1245AB-120+ 品牌: 美信 封装: DIP 125000B 5V 120ns 32Pin | 完全替代 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-120+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120+的区别 | |
型号: DS1245AB-120 品牌: 美信 封装: DIP 125000B 5V 120ns 32Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP | DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120的区别 | |
型号: DS1245AB-120IND 品牌: 美信 封装: 32-DIP | 类似代替 | IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP | DS1245AB-120IND+和DS1245AB-120IND的区别 |