CY7C1168KV18-400BZC、CY7C1168KV18-400BZXC、CY7C1148KV18-400BZXC对比区别

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型号 CY7C1168KV18-400BZC CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1148KV18-400BZXC

描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)CY7C1168KV 系列 18 Mb (1 M x 18) 1.8 V 静态 RAM - FBGA-165CY7C1148KV 系列 18 Mb (1 M x 18) 1.8 V 400 MHz DDR II SRAM - FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V 1.7 V

供电电流 - 510 mA 510 mA

时钟频率 - 400 MHz 400 MHz

位数 - 18 18

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a