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CY7C1168KV18-400BZXC

CY7C1168KV18-400BZXC

数据手册.pdf

CY7C1168KV 系列 18 Mb 1 M x 18 1.8 V 静态 RAM - FBGA-165

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1168KV18-400BZXC


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IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


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SRAM 18MB 1Mx18 1.8v 400MHz DDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM 1MX18 1.8V SYNC 165-FBGA


CY7C1168KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 510 mA

时钟频率 400 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1168KV18-400BZXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1168KV18-400BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1168KV18-400BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CY7C1168KV 系列 18 Mb 1 M x 18 1.8 V 静态 RAM - FBGA-165 搜索库存
替代型号CY7C1168KV18-400BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1168KV18-400BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

CY7C1168KV 系列 18 Mb 1 M x 18 1.8 V 静态 RAM - FBGA-165

当前型号

型号: CY7C1148KV18-400BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

CY7C1168KV18-400BZXC和CY7C1148KV18-400BZC的区别

型号: CY7C1148KV18-400BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

CY7C1148KV 系列 18 Mb 1 M x 18 1.8 V 400 MHz DDR II SRAM - FBGA

CY7C1168KV18-400BZXC和CY7C1148KV18-400BZXC的区别

型号: CY7C1168KV18-400BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

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