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TLV342IDE4、TLV342IDG4、TLV342IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV342IDE4 TLV342IDG4 TLV342IDR

描述 低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K 1.90 µV/K

带宽 2.20 MHz 2.20 MHz 2.20 MHz

转换速率 900 mV/μs 900 mV/μs 900 mV/μs

增益频宽积 2.20 MHz 2.20 MHz 2.3 MHz

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

供电电流 - - 75 µA

电路数 - - 2

共模抑制比 - 50 dB 75 dB

输入补偿电压 - - 4 mV

输入偏置电流 - - 1 pA

增益带宽 - - 2.3 MHz

共模抑制比(Min) - - 75 dB

电源电压 - - 1.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 1.5 V -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 125℃