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IPB065N03L G、IPBH6N03LA G、IPB06N03LA G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB065N03L G IPBH6N03LA G IPB06N03LA G

描述 INFINEON  IPB065N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 VMOSFET N-CH 25V 50A TO-263MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 25.0 V 25.0 V

额定电流 - 50.0 A 50.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.0054 Ω 10.2 Ω -

耗散功率 56 W 71 W 83W (Tc)

输入电容 - 5.20 nF 2.65 nF

栅电荷 - 41.0 nC 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 30 V 25 V -

连续漏极电流(Ids) - 90.0 A 50.0 A

上升时间 4.2 ns 6 ns -

输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) 2390pF @15V(Vds) 2653pF @15V(Vds)

下降时间 3.4 ns 4.2 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 56W (Tc) 71W (Tc) 83W (Tc)

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 1 V - -

额定功率(Max) 56 W - -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -