IPBH6N03LA G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPBH6N03LA G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 10.2 Ω
耗散功率 71 W
输入电容 5.20 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2390pF @15VVds
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPBH6N03LA G引脚图与封装图
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在线购买IPBH6N03LA G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPBH6N03LA G | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IPBH6N03LA G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPBH6N03LA G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 25V 90A 5.2nF | 当前型号 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： IPB065N03L G 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 类似代替 | INFINEON IPB065N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V | IPBH6N03LA G和IPB065N03L G的区别 |