锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

THS4141CDRG4、THS4141ID、THS4141CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4141CDRG4 THS4141ID THS4141CD

描述 SP Amp DIFF AMP Single ±16.5V/33V 8Pin SOIC T/RTexas Instruments### 差分放大器,Texas Instruments差分放大器,Texas Instruments### 差分放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 13.2 mA 13.2 mA 13.2 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1.02 W 1020 mW

共模抑制比 75 dB 75 dB 75 dB

带宽 160 MHz 160 MHz 160 MHz

转换速率 450 V/μs 450 V/μs 450 V/μs

增益频宽积 205 MHz 205 MHz 205 MHz

输入补偿电压 1 mV 7 mV 1 mV

输入偏置电流 5.1 µA 5.1 µA 5.1 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 160 MHz 160 MHz 160 MHz

电源电压(Max) 33 V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

电源电压(Min) 4 V - 4 V

电源电压(DC) - 30.0 V -

输出电流 - 45mA @5V 45mA @5V

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K 7.00 µV/K

增益带宽 - 205 MHz 205 MHz

耗散功率(Max) - 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) - 75 dB 75 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -