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BSC093N04LSG、BSC360N15NS3GATMA1、BSC190N15NS3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC093N04LSG BSC360N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G

描述 40V,49A,N沟道功率MOSFETINFINEON  BSC360N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V150V,50A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1

额定功率 - 74 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.031 Ω -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 74 W -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 893 pF -

漏源极电压(Vds) - 150 V -

连续漏极电流(Ids) - 33A -

上升时间 - 6 ns -

输入电容(Ciss) - 893pF @75V(Vds) -

下降时间 - 4 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 74W (Tc) -

长度 - 5.35 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 1.27 mm -

封装 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -