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BSC190N15NS3G

BSC190N15NS3G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSC190N15NS3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-1

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSC190N15NS3G引脚图与封装图
BSC190N15NS3G引脚图

BSC190N15NS3G引脚图

BSC190N15NS3G封装焊盘图

BSC190N15NS3G封装焊盘图

在线购买BSC190N15NS3G
型号 制造商 描述 购买
BSC190N15NS3G Infineon 英飞凌 150V,50A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSC190N15NS3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC190N15NS3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: PG-TDSON-8-1 N-Channel

当前型号

150V,50A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSC360N15NS3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 33A

完全替代

INFINEON  BSC360N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

BSC190N15NS3G和BSC360N15NS3GATMA1的区别

型号: BSC016N04LSG

品牌: 英飞凌

封装: PG-TDSON-8 N-Channel

完全替代

的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor

BSC190N15NS3G和BSC016N04LSG的区别

型号: BSC027N04LSG

品牌: 英飞凌

封装: PG-TDSON-8-1 N-Channel

完全替代

的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor

BSC190N15NS3G和BSC027N04LSG的区别