TLV2620IDR、TLV2620IDRG4、TLV2620IDBVTG4对比区别

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型号 TLV2620IDR TLV2620IDRG4 TLV2620IDBVTG4

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 6

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6

供电电流 800 µA - 800 µA

电路数 1 - 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.71 W 710 mW 0.425 W

共模抑制比 78 dB 78 dB 78dB ~ 99dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11 MHz 11.0 MHz 11.0 MHz

转换速率 6.00 V/μs 9.50 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 250 µV - 250 µV

输入偏置电流 2 pA - 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ 40 ℃

增益带宽 11 MHz - 11 MHz

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V

耗散功率(Max) 710 mW - -

共模抑制比(Min) 78 dB - -

长度 - 4.9 mm 2.9 mm

宽度 - 3.91 mm 1.6 mm

高度 - 1.58 mm 1.15 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -