TLE2022IDR、TLE2022MDR、TLE2022CD对比区别

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型号 TLE2022IDR TLE2022MDR TLE2022CD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLE2022IDR  芯片, 运算放大器, 精密, 1.7MHZ, 0.5V/uS, SOIC-8神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLE2022CD  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 550 µA 550 µA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 85 dB - 85 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.70 MHz 1.7 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 150 µV 150 µV 120 µV

输入偏置电流 35 nA 35 nA 35 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.7 MHz - 2.8 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 85 dB

电源电压 4V ~ 40V - -

电源电压(Max) 40 V - -

电源电压(Min) 4 V - -

工作电压 - - 4V ~ 40V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -