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DMN2230U-7、MMBF170-7-F、2N6660对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN2230U-7 MMBF170-7-F 2N6660

描述 N沟道 20V 2AMMBF170-7-F 编带晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 5 Ω 3 Ω

耗散功率 0.6 W 300 mW 6.25 W

阈值电压 - 2.1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 70.0 V 60 V

输入电容(Ciss) 188pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 50pF @24V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 300 mW 6.25W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 500 mA -

极性 N-CH N-Channel -

输入电容 - 40.0 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2A 500 mA -

额定功率(Max) 600 mW 300 mW -

上升时间 3.8 ns - -

下降时间 8.3 ns - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -