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DMN2230U-7

DMN2230U-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 20V 2A

表面贴装型 N 通道 20 V 2A(Ta) 600mW(Ta) SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3


立创商城:
N沟道 20V 2A


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this DMN2230U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 600 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3


DMN2230U-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.6 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 3.8 ns

输入电容Ciss 188pF @10VVds

额定功率Max 600 mW

下降时间 8.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN2230U-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMN2230U-7 Diodes 美台 N沟道 20V 2A 搜索库存
替代型号DMN2230U-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN2230U-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 N-CH 20V 2A

当前型号

N沟道 20V 2A

当前型号

型号: BSS123-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω

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品牌: 美台

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