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2N7002、U1898、2N7002LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 U1898 2N7002LT1G

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/RN沟道开关 N-Channel SwitchON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件JFET晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - TO-226-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 40.0 V 60.0 V

额定电流 - 30.0 mA 115 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 50 Ω 7.5 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 625 mW 200 mW

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 40.0 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 50.0 mA 115 mA

正向电压(Max) - - 1.5 V

输入电容(Ciss) - 16pF @20V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 625 mW 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 225mW (Ta)

击穿电压 - -40.0 V -

击穿电压 - 40 V -

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - 5.33 mm 0.94 mm

封装 - TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 85412100959 - -