BUK762R7-30B,118、STB95N3LLH6、FDB8860对比区别

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型号 BUK762R7-30B,118 STB95N3LLH6 FDB8860

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 241A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8860  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 300 W 70 W 254 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 107 ns 91 ns 213 ns

输入电容(Ciss) 6212pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 12585pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 254 W

下降时间 118 ns 23.4 ns 49 ns

耗散功率(Max) 300W (Tc) 70W (Tc) 254 W

漏源极电阻 - 0.0037 Ω 1.6 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 1 V 1.7 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 31.0 A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - - 3

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.75 mm 10.67 mm

宽度 - 10.4 mm 11.33 mm

高度 - 4.6 mm 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99