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TIP47G、TIP47TU、TIP47对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP47G TIP47TU TIP47

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP47G  射频双极晶体管高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 250 V - 250 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 40 W 2000 mW 2 W

增益频宽积 - - 10 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 10 30

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 10 - 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40 W 40000 mW

频率 10 MHz - -

热阻 3.125℃/W (RθJC) - -

长度 10.28 mm 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.82 mm

高度 15.75 mm 16.51 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99