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FDP79N15、FDPF79N15、FDA79N15对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP79N15 FDPF79N15 FDA79N15

描述 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

漏源极电阻 30.0 mΩ 30.0 mΩ 30.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 463W (Tc) 38 W 417W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 79.0 A 79.0 A 79.0 A

输入电容(Ciss) 3410pF @25V(Vds) 3410pF @25V(Vds) 3410pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 463W (Tc) 38W (Tc) 417W (Tc)

额定电压(DC) 150 V 150 V -

额定电流 79.0 A 79.0 A -

输入电容 3.41 nF 3.41 nF -

栅电荷 73.0 nC 73.0 nC -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

上升时间 200 ns 200 ns -

额定功率(Max) 463 W - -

下降时间 - 38 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99