FDA79N15
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDA79N15中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 417W Tc
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 79.0 A
输入电容Ciss 3410pF @25VVds
耗散功率Max 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDA79N15引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDA79N15
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA79N15 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 150V 79A 30mohms | 当前型号 | 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDP79N15 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 150V 79A 30mohms 3.41nF | 功能相似 | 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET | FDA79N15和FDP79N15的区别 |
| 型号： FDPF79N15 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO N-Channel 150V 79A 30mΩ 3.41nF | 功能相似 | 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET | FDA79N15和FDPF79N15的区别 |