FM22L16-55-TG、FM22L16-55-TGTR、FM21L16-60-TG对比区别
型号 FM22L16-55-TG FM22L16-55-TGTR FM21L16-60-TG
描述 F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。FM22L16 Series 4Mb (256K x 16) 3V 55ns Parallel F-RAM Memory - TSOP-44F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
供电电流 18 mA 8 mA 12 mA
耗散功率 - 1 W -
存取时间 55 ns 55 ns 60 ns
存取时间(Max) 55 ns 55 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
工作电压 2.7V ~ 3.6V - -
针脚数 44 - -
时钟频率 40 MHz - -
电源电压(Max) 3.6 V - -
电源电压(Min) 2.7 V - -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
长度 18.41 mm - 18.41 mm
宽度 10.16 mm - 10.16 mm
高度 1.05 mm - 1.2 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -