FM22L16-55-TG
数据手册.pdfF-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
F-RAM，
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
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欧时:
F-RAM，Cypress Semiconductor铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
艾睿:
FRAM 4Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray
安富利:
NVRAM FRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 4Mbit 3.3V 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; FRAM; parallel 16bit; 256kx16bit; 4Mbit; 2.7÷3.6VDC; 55ns
Verical:
FRAM 4Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray
Win Source:
IC FRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
