DMN61D8LQ-13、DMN61D8LQ-7对比区别
描述 N沟道 60V 470mA晶体管, MOSFET, N沟道, 470 mA, 60 V, 1.1 ohm, 5 V, 2 V
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 1 -
漏源极电阻 2.4 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 390 mW 390 mW
阈值电压 1.3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 0.47A 0.47A
上升时间 301 ns 301 ns
输入电容(Ciss) 12.9pF @12V(Vds) 12.9pF @12V(Vds)
下降时间 440 ns 440 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 390mW (Ta) 390mW (Ta)
针脚数 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -