DMN61D8LQ-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 390 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.47A
上升时间 301 ns
输入电容Ciss 12.9pF @12VVds
下降时间 440 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 390mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN61D8LQ-7 | Diodes 美台 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 470 mA, 60 V, 1.1 ohm, 5 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN61D8LQ-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-23 N-CH 60V 0.47A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 470 mA, 60 V, 1.1 ohm, 5 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: DMN61D8LQ-13 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-CH 60V 0.47A | 类似代替 | N沟道 60V 470mA | DMN61D8LQ-7和DMN61D8LQ-13的区别 |