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FDS7060N7、FDS7064N7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS7060N7 FDS7064N7

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 19.0 A 16.5 A

漏源极电阻 16.0 mΩ, 10.0 mΩ 7.00 mΩ

极性 Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 3W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.90 A, 8.20 A 16.5 A

上升时间 8 ns 13.0 ns

输入电容(Ciss) 3274pF @15V(Vds) 3355pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 3 W

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta)

下降时间 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99