额定电压DC 30.0 V
额定电流 19.0 A
漏源极电阻 16.0 mΩ, 10.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 6.90 A, 8.20 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 3274pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS7060N7 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS7060N7 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC Dual N-Channel 30V 6.9A 16mΩ | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDS7064N7 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 16.5A 7mohms | 类似代替 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS7060N7和FDS7064N7的区别 |