IRF7862PBF、IRF7862TRPBF、FDS8870对比区别

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型号 IRF7862PBF IRF7862TRPBF FDS8870

描述 INFINEON  IRF7862PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.7 mohm, 10 V, 5.4 VN 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2.5 W 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0037 Ω 4.5 mΩ 0.0042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 5.4 V 2.35 V 2.5 V

输入电容 - 4090 pF 4.62 nF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 21A 21A 18.0 A

上升时间 19 ns 19 ns 48 ns

输入电容(Ciss) 4090pF @15V(Vds) 4090pF @15V(Vds) 4615pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 11 ns 11 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 18.0 A

栅电荷 - - 85.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99