额定电压DC 30.0 V
额定电流 18.0 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 4.62 nF
栅电荷 85.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 4615pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS8870 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8870 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS8870 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 18A 4.2mohms 4.62nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8870 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 | |
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型号: IRF7832PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 20A | 功能相似 | INFINEON IRF7832PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V | FDS8870和IRF7832PBF的区别 | |
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