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FDS8870
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON and fast switching speed.

.
High performance Trench technology for extremely low RDS ON
.
Low gate charge
.
High power and current handling capability
FDS8870中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 18.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 4.62 nF

栅电荷 85.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 4615pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8870引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS8870 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FDS8870
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS8870

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 30V 18A 4.2mohms 4.62nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: IRF7832TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 30V 20A

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FDS8870和IRF7832TRPBF的区别

型号: IRF7832PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 20A

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INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V

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型号: IRF8788PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 24A

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INFINEON  IRF8788PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V

FDS8870和IRF8788PBF的区别