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BC490、BC490G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC490 BC490G

描述 大电流晶体管( PNP硅) High Current Transistors(PNP Silicon)高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-226-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A

极性 PNP PNP

耗散功率 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 2V 60 @100mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

频率 - 150 MHz

耗散功率(Max) - 625 mW

长度 5.2 mm -

宽度 4.19 mm -

高度 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99