IRL1004SPBF、STB120N4LF6、STB95N3LLH6对比区别
型号 IRL1004SPBF STB120N4LF6 STB95N3LLH6
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0065Ω; ID 130A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 VN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 130 A - -
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0031 Ω 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 110 W 70 W
产品系列 IRL1004S - -
阈值电压 1 V 1 V 1 V
输入电容 5330pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 30 V
漏源击穿电压 40 V - -
连续漏极电流(Ids) 130 A 80A 80A
上升时间 210 ns 95 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 110 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
下降时间 - 45 ns 23.4 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 70W (Tc)
长度 10.67 mm - 10.75 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - - 10.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99