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VNV10N07、VNV10N07-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNV10N07 VNV10N07-E

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETPower Switch Lo Side 1Out 7A 0.14Ω Automotive 12Pin(10+2Tab) PowerSO Tube

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 模拟开关芯片电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

引脚数 - 12

输出接口数 1 1

输出电流 7 A -

漏源极电阻 100 mΩ 100 mΩ

耗散功率 50000 mW 50000 mW

漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A

输出电流(Max) 7 A 7 A

供电电流 - 0.25 mA

极性 - N-Channel

输入电压(Max) - 18 V

输出电流(Min) - 7 A

输入数 - 1

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 50000 mW

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99