VNV10N07-E
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
VNV10N07-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
供电电流 0.25 mA
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50000 mW
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 7 A
输出电流Min 7 A
输入数 1
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 PowerSO-10
外形尺寸
封装 PowerSO-10
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNV10N07-E引脚图与封装图
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在线购买VNV10N07-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNV10N07-E | ST Microelectronics 意法半导体 | Power Switch Lo Side 1Out 7A 0.14Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO Tube | 搜索库存 |
替代型号VNV10N07-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNV10N07-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | Power Switch Lo Side 1Out 7A 0.14Ω Automotive 12Pin10+2Tab PowerSO Tube | 当前型号 |
| 型号： VNV10N07 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10 | 完全替代 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VNV10N07-E和VNV10N07的区别 |